Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208222| Title: | Улучшение структурного совершенства эпитаксиальных пленок n-GAP под воздействием у-облучения |
| Other Titles: | Improvement of structural perfectness of epitaxial n-GaP films due to y-irradiation / Petro Gentsar, Lyudmila Matveeva, Evgen Venger |
| Authors: | Генцар, П. О. Матвеева, Л. О. Венгер, Е. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 231-233. |
| Abstract: | Методом электроотражения (ЭО) исследованы гомоэпитаксиальные пленки n-GaP (III) с концентрацией электронов 1016 - 1018 см’3 до и после облучения у квантами 60Co в интервале доз 105-106 P при температуре 300К с использованием электролитической методики. Экспериментальные сильнополевые спектры ЭО хорошо описываются теорией с использованием уширенных функций Эйри. Определены электрооптическая энергия h0 , поверхностное электрическое поле Fs и столкновительный параметр уширения Г. Влияние у-облучения на спектры ЭО оценено по изменению Г и внутренних механических напряжений. Наблюдается расщепление экстремума после облучения. Оценено увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения образцов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208222 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Appears in Collections: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 231-233.pdf | 2,72 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.