Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208222| Заглавие документа: | Улучшение структурного совершенства эпитаксиальных пленок n-GAP под воздействием у-облучения |
| Другое заглавие: | Improvement of structural perfectness of epitaxial n-GaP films due to y-irradiation / Petro Gentsar, Lyudmila Matveeva, Evgen Venger |
| Авторы: | Генцар, П. О. Матвеева, Л. О. Венгер, Е. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 231-233. |
| Аннотация: | Методом электроотражения (ЭО) исследованы гомоэпитаксиальные пленки n-GaP (III) с концентрацией электронов 1016 - 1018 см’3 до и после облучения у квантами 60Co в интервале доз 105-106 P при температуре 300К с использованием электролитической методики. Экспериментальные сильнополевые спектры ЭО хорошо описываются теорией с использованием уширенных функций Эйри. Определены электрооптическая энергия h0 , поверхностное электрическое поле Fs и столкновительный параметр уширения Г. Влияние у-облучения на спектры ЭО оценено по изменению Г и внутренних механических напряжений. Наблюдается расщепление экстремума после облучения. Оценено увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения образцов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208222 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 231-233.pdf | 2,72 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.