Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208222
Title: Улучшение структурного совершенства эпитаксиальных пленок n-GAP под воздействием у-облучения
Other Titles: Improvement of structural perfectness of epitaxial n-GaP films due to y-irradiation / Petro Gentsar, Lyudmila Matveeva, Evgen Venger
Authors: Генцар, П. О.
Матвеева, Л. О.
Венгер, Е. Ф.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 231-233.
Abstract: Методом электроотражения (ЭО) исследованы гомоэпитаксиальные пленки n-GaP (III) с концентрацией электронов 1016 - 1018 см’3 до и после облучения у квантами 60Co в интервале доз 105-106 P при температуре 300К с использованием электролитической методики. Экспериментальные сильнополевые спектры ЭО хорошо описываются теорией с использованием уширенных функций Эйри. Определены электрооптическая энергия h0 , поверхностное электрическое поле Fs и столкновительный параметр уширения Г. Влияние у-облучения на спектры ЭО оценено по изменению Г и внутренних механических напряжений. Наблюдается расщепление экстремума после облучения. Оценено увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения образцов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208222
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
231-233.pdf2,72 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.