Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207625
Title: Водородные доноры в кремнии, имплантированном низкоэнергетическими протонами
Other Titles: Hydrogen donors in the silicon implanted by low energy protons / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, V.V.Litvinov, N.F.Golubev
Authors: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Литвинов, В. В.
Голубев, Н. Ф.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 193-194.
Abstract: Методом вольт-фарадных характеристик исследовались диоды Шоттки, изготовленные на эпитаксиальном n-кремнии. Показано, что после имплантации протонов в базовой области диода в отличие от известных HDD и SHD дефектов формируются новые водородосодержащие доноры, профиль распределения которых совпадает с распределением внедренного водорода. Природа наблюдаемых доноров связывается с формированием и трансформацией в поврежденной облучением области двумерных дефектов (плателет).
Abstract (in another language): Schottki diodes made on epitaxial n-Si have been studied by capacitance-voltage method. It was shown, that after proton implantation in contrast to well-known HDD and SHD new hydrogen-like donors form Donor distribution coincides with distribution of the implanted protons. The origin observed donors is associated with forming and transformation of two-dimensional defects (plateletes) in the region damaged by implantation.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/207625
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
193-194.pdf2,05 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.