Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207625| Title: | Водородные доноры в кремнии, имплантированном низкоэнергетическими протонами |
| Other Titles: | Hydrogen donors in the silicon implanted by low energy protons / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, V.V.Litvinov, N.F.Golubev |
| Authors: | Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Литвинов, В. В. Голубев, Н. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 193-194. |
| Abstract: | Методом вольт-фарадных характеристик исследовались диоды Шоттки, изготовленные на эпитаксиальном n-кремнии. Показано, что после имплантации протонов в базовой области диода в отличие от известных HDD и SHD дефектов формируются новые водородосодержащие доноры, профиль распределения которых совпадает с распределением внедренного водорода. Природа наблюдаемых доноров связывается с формированием и трансформацией в поврежденной облучением области двумерных дефектов (плателет). |
| Abstract (in another language): | Schottki diodes made on epitaxial n-Si have been studied by capacitance-voltage method. It was shown, that after proton implantation in contrast to well-known HDD and SHD new hydrogen-like donors form Donor distribution coincides with distribution of the implanted protons. The origin observed donors is associated with forming and transformation of two-dimensional defects (plateletes) in the region damaged by implantation. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207625 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Appears in Collections: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 193-194.pdf | 2,05 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.