Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207625
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | - |
dc.contributor.author | Петух, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Литвинов, В. В. | - |
dc.contributor.author | Голубев, Н. Ф. | - |
dc.date.accessioned | 2018-10-24T08:58:48Z | - |
dc.date.available | 2018-10-24T08:58:48Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 193-194. | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207625 | - |
dc.description.abstract | Методом вольт-фарадных характеристик исследовались диоды Шоттки, изготовленные на эпитаксиальном n-кремнии. Показано, что после имплантации протонов в базовой области диода в отличие от известных HDD и SHD дефектов формируются новые водородосодержащие доноры, профиль распределения которых совпадает с распределением внедренного водорода. Природа наблюдаемых доноров связывается с формированием и трансформацией в поврежденной облучением области двумерных дефектов (плателет). | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Водородные доноры в кремнии, имплантированном низкоэнергетическими протонами | ru |
dc.title.alternative | Hydrogen donors in the silicon implanted by low energy protons / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, V.V.Litvinov, N.F.Golubev | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.description.alternative | Schottki diodes made on epitaxial n-Si have been studied by capacitance-voltage method. It was shown, that after proton implantation in contrast to well-known HDD and SHD new hydrogen-like donors form Donor distribution coincides with distribution of the implanted protons. The origin observed donors is associated with forming and transformation of two-dimensional defects (plateletes) in the region damaged by implantation. | ru |
Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
193-194.pdf | 2,05 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.