Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207621| Title: | Гамма-радиационное воздействие на пробой тонкопленочной SiO2 |
| Other Titles: | Gamma-radiation influence on electro-durability SiO2 of thin-film MOS-structure / L.S.Podval’niy |
| Authors: | Подвальный, Л. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 184-186. |
| Abstract: | Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрический пробой. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Пробой диэлектрика и электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-структур были измерены методами разрушающего и ’’неразрушающего" злектропробоя, высокочастотным и квазистатическим C - V методами. Механизм электрического пробоя описывается формулой Фаулера-Нордгейма |
| Abstract (in another language): | The purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the dielectric breakdown. The thin-film SiO2 was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12 s. The dielectric breakdown of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods and the breakdown method. The mechanism of the breakdown was described by the Fowler-Nordheim formula. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207621 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Appears in Collections: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 184-186.pdf | 3,07 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.