Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207621
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПодвальный, Л. С.-
dc.date.accessioned2018-10-24T08:46:07Z-
dc.date.available2018-10-24T08:46:07Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 184-186.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/207621-
dc.description.abstractЦель работы - исследование влияния у-радиации на электрический пробой. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Пробой диэлектрика и электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-структур были измерены методами разрушающего и ’’неразрушающего" злектропробоя, высокочастотным и квазистатическим C - V методами. Механизм электрического пробоя описывается формулой Фаулера-Нордгеймаru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleГамма-радиационное воздействие на пробой тонкопленочной SiO2ru
dc.title.alternativeGamma-radiation influence on electro-durability SiO2 of thin-film MOS-structure / L.S.Podval’niyru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the dielectric breakdown. The thin-film SiO2 was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12 s. The dielectric breakdown of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods and the breakdown method. The mechanism of the breakdown was described by the Fowler-Nordheim formula.ru
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
184-186.pdf3,07 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.