Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207621
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Подвальный, Л. С. | - |
dc.date.accessioned | 2018-10-24T08:46:07Z | - |
dc.date.available | 2018-10-24T08:46:07Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 184-186. | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207621 | - |
dc.description.abstract | Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрический пробой. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Пробой диэлектрика и электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-структур были измерены методами разрушающего и ’’неразрушающего" злектропробоя, высокочастотным и квазистатическим C - V методами. Механизм электрического пробоя описывается формулой Фаулера-Нордгейма | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Гамма-радиационное воздействие на пробой тонкопленочной SiO2 | ru |
dc.title.alternative | Gamma-radiation influence on electro-durability SiO2 of thin-film MOS-structure / L.S.Podval’niy | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.description.alternative | The purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the dielectric breakdown. The thin-film SiO2 was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12 s. The dielectric breakdown of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods and the breakdown method. The mechanism of the breakdown was described by the Fowler-Nordheim formula. | ru |
Appears in Collections: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
184-186.pdf | 3,07 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.