Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207621| Заглавие документа: | Гамма-радиационное воздействие на пробой тонкопленочной SiO2 |
| Другое заглавие: | Gamma-radiation influence on electro-durability SiO2 of thin-film MOS-structure / L.S.Podval’niy |
| Авторы: | Подвальный, Л. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 184-186. |
| Аннотация: | Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрический пробой. Тонкопленочный SiO2 был выращен быстрым термическим окислением (RTO) в сухом кислороде при 1150°С в течение 12 с. Пробой диэлектрика и электрофизические характеристики тонкопленочных МОП-структур были измерены методами разрушающего и ’’неразрушающего" злектропробоя, высокочастотным и квазистатическим C - V методами. Механизм электрического пробоя описывается формулой Фаулера-Нордгейма |
| Аннотация (на другом языке): | The purpose of work is inverstigation of the y-radiation influence on the dielectric breakdown. The thin-film SiO2 was grown by rapid thermal oxidation (RTO) in dry O2 at 1150°C for 12 s. The dielectric breakdown of thin-film MOS-capacitors was measured by high-frequency and quasi-static C-V methods and the breakdown method. The mechanism of the breakdown was described by the Fowler-Nordheim formula. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207621 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 184-186.pdf | 3,07 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.