Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207612| Заглавие документа: | Рекомбинация носителей заряда в облученном кремнии, легированном примесями переходных металлов |
| Другое заглавие: | Recombination of charge carriers in irradiated silicon doped by transition metals impurities / L.A. Kazakevich, P.F Lugakov |
| Авторы: | Казакевич, Л. А. Лугаков, П. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 160-161. |
| Аннотация: | Изучены особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефектах в полученном по методу Чохральского р-кремнии (р = 3-20 Ом,см), легированном одной из примесей переходных металлов IV группы таблицы Менделеева (титан, цирконий, гафний). Экспериментальные результаты получены из анализа температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда. Показано, что наличие в решетке кремния этих примесей приводит к изменению эффективности введения при облучении у-квантами 60Co рекомбинационно активных радиационных дефектов. Результаты объясняются с учетом влияния полей упругих напряжений, создаваемых скоплениями атомов переходных металлов, на пространственное распределение по кристаллу фоновых примесей кислорода и углерода и миграцию подвижных радиационных дефектов при облучении. |
| Аннотация (на другом языке): | It has been studied the peculiarities of recombination of nonequilibrium charge carriers on radiation-induced defects in received according to Chohralsky method p-silicon (p « 3-20 Q.cm) doped by one of the impurities of transition metals of the IVm group of Mendeleev table (titanium, circonium, hafnium). Experimental results are obtained out of the analyses of temperature and injection dependences of the life time of charge carriers. It has been shown that the availability of these impurities in silicon grate changes the effectiveness of formation during the irradiation by 60Co у-quantum of recombinationally active radiation-induced defects. The results are explained taking into consideration the influences of elastic stress fields created by the aggregates of transition metals atoms on space distribution over the crystal of oxygen and carbon background impurities as well as on the migration of movable radiation-induced defects during irradiation. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207612 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 160-161.pdf | 2,41 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.