Рекомбинация носителей заряда в облученном кремнии, легированном примесями переходных металлов

Abstract

Изучены особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефектах в полученном по методу Чохральского р-кремнии (р = 3-20 Ом,см), легированном одной из примесей переходных металлов IV группы таблицы Менделеева (титан, цирконий, гафний). Экспериментальные результаты получены из анализа температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда. Показано, что наличие в решетке кремния этих примесей приводит к изменению эффективности введения при облучении у-квантами 60Co рекомбинационно активных радиационных дефектов. Результаты объясняются с учетом влияния полей упругих напряжений, создаваемых скоплениями атомов переходных металлов, на пространственное распределение по кристаллу фоновых примесей кислорода и углерода и миграцию подвижных радиационных дефектов при облучении.