Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207136Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ermakov, V. M. | - |
| dc.contributor.author | Khivrich, V. I. | - |
| dc.contributor.author | Kolomoets, V. V. | - |
| dc.contributor.author | Machulin, V. F. | - |
| dc.contributor.author | Panasjuk, L. I. | - |
| dc.contributor.author | Prokopenko, I. V. | - |
| dc.contributor.author | Sus, B. B. | - |
| dc.contributor.author | Venger, E. F. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-10-16T08:40:24Z | - |
| dc.date.available | 2018-10-16T08:40:24Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 139-141. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207136 | - |
| dc.description.abstract | Temperature dependence of Hall coefficient in neutron transmutation doped (NTD) n-Si(P) crystals was measured and the activation energies of high temperature technological thermodonors were determined. Tensoeffect mechanisms in high uniaxially strained NTD y-irradiated n-Si(P) were examined in order to explain the behaviors of the experimental dependencies. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Activation energy of technological thermodonors in transmutation doped gamma irradiated N-Si(P) | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 139-141.pdf | 2,58 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.