Отжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнии

Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Самохвал, В. В.; Янковский, Ю. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206851

Title:	Отжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнии
Other Titles:	Radiation defects annealing in Yb+ ions implanted silicon / D.l. Brinkevich, V.V. Samokhval, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski
Authors:	Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Самохвал, В. В. Янковский, Ю. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2003
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 105-107.
Abstract:	Методами эффекта Холла в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского рассеяния исследовалось поведение радиационных дефектов при постимплантационном отжиге имплантированных ионами Yb монокристаллов кремния. Показано, что иттербий оказывает существенное влияние на процессы активации легирующей примеси фосфора. Максимум распределения дефектов в процессе термообработки Si:Yb смещается к поверхности. На эффективность отжига дефектов существенное влияние также оказывает дополнительное внедрение основных легирующих примесей B, P и Sb.
Abstract (in another language):	Defects annealing processes at heat treatment of Yb* ions implanted silicon were studied by Hall effect and Rutherford back scattering methods. It is shown that ytterbium significantly influence on phosphorus activation processes. Maximum of defects distribution in Si:Yb displace to the surface at heat treatment. Additional implantation of doping impurities B, P and Sb also significantly influence on defects annealing efficiency.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/206851
ISBN:	985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:	2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
105-107.pdf		2,88 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar