Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206851
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorСамохвал, В. В.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.date.accessioned2018-10-10T06:57:21Z-
dc.date.available2018-10-10T06:57:21Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 105-107.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206851-
dc.description.abstractМетодами эффекта Холла в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского рассеяния исследовалось поведение радиационных дефектов при постимплантационном отжиге имплантированных ионами Yb монокристаллов кремния. Показано, что иттербий оказывает существенное влияние на процессы активации легирующей примеси фосфора. Максимум распределения дефектов в процессе термообработки Si:Yb смещается к поверхности. На эффективность отжига дефектов существенное влияние также оказывает дополнительное внедрение основных легирующих примесей B, P и Sb.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОтжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнииru
dc.title.alternativeRadiation defects annealing in Yb+ ions implanted silicon / D.l. Brinkevich, V.V. Samokhval, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovskiru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeDefects annealing processes at heat treatment of Yb* ions implanted silicon were studied by Hall effect and Rutherford back scattering methods. It is shown that ytterbium significantly influence on phosphorus activation processes. Maximum of defects distribution in Si:Yb displace to the surface at heat treatment. Additional implantation of doping impurities B, P and Sb also significantly influence on defects annealing efficiency.ru
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
105-107.pdf2,88 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.