Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206851| Заглавие документа: | Отжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнии |
| Другое заглавие: | Radiation defects annealing in Yb+ ions implanted silicon / D.l. Brinkevich, V.V. Samokhval, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Самохвал, В. В. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 105-107. |
| Аннотация: | Методами эффекта Холла в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского рассеяния исследовалось поведение радиационных дефектов при постимплантационном отжиге имплантированных ионами Yb монокристаллов кремния. Показано, что иттербий оказывает существенное влияние на процессы активации легирующей примеси фосфора. Максимум распределения дефектов в процессе термообработки Si:Yb смещается к поверхности. На эффективность отжига дефектов существенное влияние также оказывает дополнительное внедрение основных легирующих примесей B, P и Sb. |
| Аннотация (на другом языке): | Defects annealing processes at heat treatment of Yb* ions implanted silicon were studied by Hall effect and Rutherford back scattering methods. It is shown that ytterbium significantly influence on phosphorus activation processes. Maximum of defects distribution in Si:Yb displace to the surface at heat treatment. Additional implantation of doping impurities B, P and Sb also significantly influence on defects annealing efficiency. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206851 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 105-107.pdf | 2,88 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.