Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206820| Заглавие документа: | Модельное изучение стимулированных радиацией процессов «восходящей» диффузии атомов металла в полупроводник |
| Другое заглавие: | Digital modelling of radiation stimulated “uphill" diffusion of metallic atoms in semiconductors / A.A. Akopyan, N.L. Dmitruk, R.V. Konakova, V.V. Milenin |
| Авторы: | Акопян, А. А. Дмитрук, Н. Л. Конакова, Р. В. Миленин, В. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 93-95. |
| Аннотация: | Численными методами изучена модель диффузии атомов металла в полупроводник в случае нелинейности, связанной с выталкиванием или втягиванием атомов металла в полупроводник. Показано, что выталкивание атомов металла из полупроводника может при определенных условиях привести к восходящей диффузии и уменьшению количества металла в полупроводнике и уменьшению переходного слоя между полупроводником и металлом. Приведены примеры корреляции расчета с экспериментальными профилями распределения компонентов в контактах Pt (AuGe)-n-n*-GaAs до и после облучения гамма - квантами 60Co. |
| Аннотация (на другом языке): | A model of diffusion of metallic atoms in semiconductor was investigated digitally at nonlinearity due to push out and pull in of metallic atoms by semiconductor. It was shown that pushing out of metallic atoms from semiconductor may lead to “uphill“ diffusion and diminishing of transition layer between metal and semiconductor. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206820 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.