Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206820
Title: Модельное изучение стимулированных радиацией процессов «восходящей» диффузии атомов металла в полупроводник
Other Titles: Digital modelling of radiation stimulated “uphill" diffusion of metallic atoms in semiconductors / A.A. Akopyan, N.L. Dmitruk, R.V. Konakova, V.V. Milenin
Authors: Акопян, А. А.
Дмитрук, Н. Л.
Конакова, Р. В.
Миленин, В. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 93-95.
Abstract: Численными методами изучена модель диффузии атомов металла в полупроводник в случае нелинейности, связанной с выталкиванием или втягиванием атомов металла в полупроводник. Показано, что выталкивание атомов металла из полупроводника может при определенных условиях привести к восходящей диффузии и уменьшению количества металла в полупроводнике и уменьшению переходного слоя между полупроводником и металлом. Приведены примеры корреляции расчета с экспериментальными профилями распределения компонентов в контактах Pt (AuGe)-n-n*-GaAs до и после облучения гамма - квантами 60Co.
Abstract (in another language): A model of diffusion of metallic atoms in semiconductor was investigated digitally at nonlinearity due to push out and pull in of metallic atoms by semiconductor. It was shown that pushing out of metallic atoms from semiconductor may lead to “uphill“ diffusion and diminishing of transition layer between metal and semiconductor.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206820
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
93-95.pdf2,52 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.