Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206801| Заглавие документа: | Фазовые превращения и трекообразование в кремнии, облучаемом тяжелыми ионами сверхвысоких энергий |
| Другое заглавие: | Phase transformations and track formation in silicon irradiated with heavy superhigh energy ions / Vera Yuvchenko |
| Авторы: | Ювченко, В. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 38-40. |
| Аннотация: | Построена модель трекообразования и фазовых превращений в полупроводниковых кристаллах при облучении тяжелыми высокоэнергетическими ионами, учитывающая формирование первичной высоковозбужденной области вокруг траектории иона, передачу энергии электронной подсистемы атомной в приближении термического пика, дальнейшее остывание, затвердевание в аморфной фазе и перекристаллизацию. На основании данной модели рассчитаны радиусы расплавленных областей вдоль траектории иона для кремния и германия, облучаемых ионами Bi* с энергией 710 МэВ. Предполагается, что возможной причиной отсутствия регистрируемых треков в Si, облучаемом тяжелыми моноатомными ионами, является эпитаксиальная перекристаллизация аморфного ядра трековой области, полученного за счет быстрой закалки расплавленной области. |
| Аннотация (на другом языке): | A model of track formation and phase transformations in semiconductor crystals irradiated with heavy superhigh-energy ions has been developed. The model takes into account the formation of an initial highly excited region along the ion trajectory, energy transfer from the electronic subsystem into the lattice subsystem considered within the framework of a thermal spike approach, and the following cooling down, solidification in the amorphous phase and recrystallization. On the basis of this model the radii of the melted regions along the ion trajectory were calculated for Si and Ge crystals irradiated with 710 MeV Bi* ions. It is supposed that the epitaxial recrystallization of the amorphous core of the track appeared due to the fast quenching of the melted region is the probable reason for the absence of registered tracks in crystalline Si irradiated with heavy monoatomic ions. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206801 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.