Радиационно-стимулированная диффузия гетеровалентной примеси в KBr

Abstract

В работе исследовалась диффузия ионов Mg2*, Al3* в щелочно-галлоидных кристаллах KBr. Сравнивались коэффициенты диффузии примеси для образцов, отожженных на ускорителе электронов ЭЛВ-6 (ИЯФ, СО РАН) и в обычной термической печи. Для снятия концентрационных профилей использовался метод вторично-ионной масс-спектрометрии. Предложена и опробована методика послойного анализа, позволяющая снизить эффект кратера. Температурная зависимость коэффициентов диффузии подчиняется закону Аррениуса во всем исследованном температурном диапазоне (673-883К). В условиях интенсивного электронного облучения происходит изменение эффективного коэффициента диффузии примесей - увеличивается как предэкспотенциальный множитель, так и энергия активации. В рамках вакансионного механизма предложена модель процессов, происходящих при радиационно-термической диффузии