Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206622
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorКульгачев, В. И.-
dc.contributor.authorДударчик, А. И.-
dc.contributor.authorРубцевич, И. И.-
dc.contributor.authorАлиев, А. М,-
dc.date.accessioned2018-10-04T08:59:05Z-
dc.date.available2018-10-04T08:59:05Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 147-148.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206622-
dc.description.abstractРассмотрены методы управления пороговым напряжением мощных п-канальных МОП-транзисторов с использованием гамма-излучения Со60 и термического отжига. Установлены оптимальные режимы радиационно-термической обработки, обеспечивающие получение параметров транзисторов в пределах технических условий.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleПрименение гамма-излучения для регулирования порогового напряжения мощных МОП-транзисторовru
dc.title.alternativeGamma radiation application for regulation of power MOS-transistor threshold voltage / F.P.Korshunov, Yu.V,Bogatyrev, V.l.Kulgachev, A.I.Dudarchik, I.I.Rubtsevich, A.M.Alievru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe control methods of a threshold voltage Uih of power n-channel MOS-transistors by means of gamma-irradiation Co80 and thermal annealing have considered. The optimum regimes of radiation-heat treatment for enclosed MOS-transistors (radiation dose Dr = 5*102 Gr1 annealing at T = 408 K1 3 hours) and for transistor MOSs on plates (Dv = 104 Gr1 annealing at T = 723 K, 20 minutes) have been determined. As a result of such treatment the spread in values Uth of transistor MOSs on plates has decreased, the output of suitable devices has increased. Warranted serviceability time tp of MOS-transistors, subjected to radiation-heat treatment has been calculated. It has been defined, that at T = 293 K tp = 6.1*107 hours for enclosed MOS-transistors and tD = 7.0*108 hours for MOS-transistor structures on plates.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
147-148.pdf2,09 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.