Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205800| Title: | Влияние обработки ионами аргона низких энергий на оптические свойства тыльной стороны монокристаллического GaAs |
| Other Titles: | Influence of processing by ions of an argon of low energies on optical properties of the back party monocrystalline GaAs / A.S.AIalykin, P.N.Krylov |
| Authors: | Алалыкин, А. С. Крылов, П. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 237-239. |
| Abstract: | Бесконтактными методами исследовались оптические, фотоэлектрические и эллипсометрические характеристики тыльной стороны подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке ионами аргона низких энергий. Обнаружено уменьшение коэффициента отражения R в ближней ИК-области и увеличение R в видимой области спектра. Метод эллипсометрии показал увеличение минимального значения ч/^т и разности параллельной и перпендикулярной составляющими ц/ (Ар - As). Фотопроводимость уменьшается во всем спектральном диапазоне, наиболее сильные изменения происходят в области максимума кривой при длине волны λ=695 нм. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205800 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 237-239.pdf | 678,02 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.