Модель элементарного акта преобразования структуры кластера, взаимодействующего с лазерным ИК - излучением

Abstract

В работе предложена модель элементарного акта преобразования структуры кластера, взаимодействующего с лазерным ИК излучением, которая основывается на двух положениях: 1) в процессе преобразования, потенциальная энергия кластера изменяется дискретно (то есть квантуется): процесс преобразования представляет собой последовательно реализуемый набор (ряд) квантовых подсистем (одинаковых квантовых осцилляторов); 2) в интенсивном поле лазерного излучения обмен энергией между ИК излучением и атомами кластера приводит к дискретному поступательному движению этих атомов, которые поглощают колебательную энергию одинаковыми квантами вплоть до полного преобразования структуры кластера, соответствующего рекристаллизации полупроводникового слоя. Проведено численное моделирование процессов самодиффузии для кремния, германия и арсенида галлия. Показана возможность прогнозирования и оптимизации технологических процессов, связанных с твердофазной рекристаллизацией ионно-имплантированных полупроводниковых слоев.