Формирование омического контакта к алмазу методом ионной имплантации

Abstract

В данной работе исследовано влияние технологических параметров ионного легирования при формировании омических контактов к алмазу p-типа на величину удельного сопротивления контакта. Исследовалась структура контакта типа данной работе исследовано влияние технологических параметров ионного легирования при формировании омических контактов к алмазу p-типа на величину удельного сопротивления контакта. Исследовалась структура контакта типа металл-р+(контакгная область)-р(активная область). Определен пороговый уровень легирования контактной области, соответствующий концентрации 5хЮ20 см'3, обеспечивающий сопротивление контакта менее 10-5 ом*см2. Определено, что данный уровень концентраций соответствует модели полевой эмиссии. Исследовано влияние уровня концентрации и подвижности в активной области на величину сопротивления омического контакта. Определено, что при подвижности в активной области свыше 47 см2/(Вс) применима модель термоэлектронной эмиссии, при этом сопротивление контакта при концентрации активной области свыше значения 1018 см'3 не зависит от последней. В соответствии с разработанным процессом достигнуты значения удельного контактного сопротивления на алмазе 2x10'6 Омхсм2.