Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204400| Title: | Образование дефектов при радиационно-термических воздействиях в кремнии c микродефектами различных типов |
| Other Titles: | Defect formation in silicon with various microdefects upon Ra thermal treatment / P. F. Lugakov, L. A. Kazakevich |
| Authors: | Лугаков, П. Ф. Казакевич, Л. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1999 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 136-138. |
| Abstract: | Изучены процессы дефектообразования при внешних воздействиях на монокристаллах кремния n-типа с исходным удельным сопротивлением р = 10 - 250 Ом-см, полученных бестигельной зонной плавкой в вакууме или в атмосфере аргона и содержащих различные типы ростовых микродефектов. Образцы облучались гамма-квантами Со при температуре не выше 50 “С и подвергались термообработке в интервале температур 100 - 600 0C. Измерялись температур, аргона и содержащих различные типы ростовых микродефектов. Образцы облучались гамма-квантами Со при температуре не выше 50 “С и подвергались термообработке в интервале температур 100 - 600 0C. Измерялись температур, в от зависимости коэффициента Холла. Показано, что из-за наличия деформационных напряжении существенно уменьшается температурная устойчивость большинства радиационных дефектов и термодоноров. Развиты модельный представления о дефектообразовании при радиационных и термических обработках кремния, источники деформационных напряжений. |
| Abstract (in another language): | Consideration is being given to the defect formation processes at external effects on the n-type Silicon single-cryst resistivity p= 1- 250 Ohm cm produced by the method of floating-zone crucible-free melting in vacuum or argon gas ati to peculiarities of the growth technology (atmosphere, rate), the crystals contained different types of lattice disturbant microdefects, etc.). The samples were irradiated with у-quanta of ®°Co at a temperature no more than 50° C. Therm, performed in the air or in evacuated quartz ampoules over the temperature range 100 to 600°C. Based on the Hall-effec the data on electro-physical characteristics of the materials under study have been obtained. Analysis of the results has to infer that in the processes of complexes (radiation and thermal defects) accumulation and reorganization the leading the fields of elastic stresses created by the growth and technological lattice disturbances. The effect of these fields Ircrystal growth results in redistribution of background impurities (oxygen, carbon) localized near the deformation sources, diation, vacancies and intrinsic interstitial atoms migrate to them causing a reduced rate of the vacancy and interstitial coition in the crystalline matrix. It is demonstrated that due to the presence of deformation stresses the temperature stability of radiation defects and thermodonors is considerably decreased. Modeling of the defect formation processes upon radimal treatment of Silicon containing intrinsic sources of deformation stresses is carried out. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204400 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 136-138.pdf | 282,27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.