Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204386Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Лугаков, П. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Казакевич, Л. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-28T07:06:36Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-28T07:06:36Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 130-132. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204386 | - |
| dc.description.abstract | Изучено влияние ростовых микродефектов различных типов на процессы рекомбинации носителей заряда в облученных бездислокационных кристаллах кремния (р = 100 - 200 Ом-см), полученных методом зонной плавки в атмосфере аргона или в вакууме. На различных этапах облучения у-квантами 60Co измерялись температурные и инжекционные зависимости времени жизни т носителей заряда методом фотомагнитоэлектрического эффекта и модуляции проводимости в точечном контакте. Определены параметры (энергетическое положение уровней, асимметрия сечений захвата зависимости времени жизни т носителей заряда методом фотомагнитоэлектрического эффекта и модуляции проводимости в точечном контакте. Определены параметры (энергетическое положение уровней, асимметрия сечений захвата носителей заряда) рекомбинационных центров, связанных с микродефектами А- и В-типа. Развиты модельные представления, учитывающие образование при облучении вблизи микродефектов, создающих поля упругих напряжений, носителей заряда) рекомбинационных центров, связанных с микродефектами А- и В-типа. Развиты модельные представления, учитывающие образование при облучении вблизи микродефектов, создающих поля упругих напряжений, кластеров Е-центров. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние ростовых микродефектов на рекомбинацию носителей заряда в облученном бездислокационном кремнии | ru |
| dc.title.alternative | The effect of growth microdefects on the charge carrier recombination Irradiated dislocation-free silicon / P. F. Lugakov, L. A. Kazakevich | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The effect of various growth microdefects on the recombination processes of charge carriers has been studied in the irradislocation-free Silicon crystals produced by the floating-zone melting method in argon gas atmosphere or in vacuum. I tively of the samples was p = 100 - 200 Ohm em. Silicon with the same p, grown in vacuum and having a concentration growth dislocations N0 = 3 ■ 104 cm2 was used as a reference. At different stages of irradiation by у-quanta of 60Co the tenture and injection dependencies of the charge carrier lifetime T have been measured by the methods of photo-magnetoe effect and conductivity modulation at the point contact. Parameters (energy level positions, asymmetry of the carrier cecross-sections) of the recombination centers associated with microdefects of the A- and В-type have been determined, been shown that the presence of the growth microdefects leads to the peculiarities of radiation changes in T and to stronger injection dependencies in the irradiated crystals. The obtained results have been interpreted based on the model tinto consideration the E-center cluster formation upon irradiation in the vicinity of microdefects creating the fields of estresses. This process results in the formation of potential barriers determining an increase in the effective hole capture csection at the microdefects levels. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 130-132.pdf | 236,05 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.