Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204378
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛатушко, Я. И.-
dc.contributor.authorЛапчук, И. М.-
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.-
dc.date.accessioned2018-08-28T06:38:30Z-
dc.date.available2018-08-28T06:38:30Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 124-126.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/204378-
dc.description.abstractВ работе методами спектроскопии электронного парамагнитного резонанса и инфракрасного поглощения исследованы бистабильные термодоноры в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского. Показано, что, используя термообработку при температуре <400°С и соответствующую компенсацию проводимости посредством облучения электронами с энергией 3.5 МэВ, удается выделить из суммарного сигнала ЭПР сигнал, связанный только с одним видом термодоноров - ТДД2. Предложено объяснение данных ЭПР-спектроскопии о кислородных термодонорах в кремнии на основании модели двуцентровой структуры сердцевины данных комплексов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleСветочувствительные парамагнитные центры в кристаллах кремния, облученных электронамиru
dc.title.alternativeLight-sensitive paramagnetic centers in electron irradiated silicon / Ya. I. Latushko, N. M. Lapchuk, L. F. Makarenkoru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeU has been shown that bistability of thermai double donors (TDD) in silicon can be observed by EPR-technique. The spectrum of the bistable TDD species (TDD2) has been isolated using heat-treatment of Czochralsky-grown n-type silicon crystals with initial resistivity 4.5 £2cm, at temperatures 400°C and subsequent irradiation with electrons (E=3.5 MeV). The principal values of the TDD2 g-tensor are determined: g1 =1.9928, g2=2.0009, g3=1.9999. Crystals with initial resistivity 4.5 £2cm, at temperatures 400°C and subsequent irradiation with electrons (E=3.5 MeV). The principal values of the TDD2 g-tensor are determined: g1 =1.9928, g2=2.0009, g3=1.9999. It is proposed to explain the variation of the TDD g-tensor as due to the defect growth along the gi[100]- direction.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
124-126.pdf247,98 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.