Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204302Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бумай, Ю. А. | - |
| dc.contributor.author | Горупа, К. С. | - |
| dc.contributor.author | Акимов, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T10:59:45Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T10:59:45Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 92-94. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204302 | - |
| dc.description.abstract | В имплантированный кремнием GaAs была дополнительно проведена высокоинтенсивная имплантация ионов мышьяка. Методами эффекта Холла и обратного резерфордовского рассеяния каналированных ионов исследованы электрические и структурные свойства имплантированных слоев после термического отжига. Показано, что непосредственно в имплантированный кремнием GaAs была дополнительно проведена высокоинтенсивная имплантация ионов мышьяка. Методами эффекта Холла и обратного резерфордовского рассеяния каналированных ионов исследованы электрические и структурные свойства имплантированных слоев после термического отжига. Показано, что непосредственно после имплантации As в самоотжиговом режиме образуются проводящие слои с низкой активацией. Последующий термический отжиг приводит к эффективности активации Si, близкой к 100%. Обсуждается механизм наблюдаемого явления. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Активация ионов Si В GaAs при высокоинтенсивной имплантации As | ru |
| dc.title.alternative | Activation of Si implanted in GaAs at high intensity As coimplantation / Yu. A. Bumai, K. S. Gorupa, A. N. Akimov, L. G. VIasukova | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The electrical and structural properties of Si-implanted GaAs (with ion energies of 100 keV and dose of 2x1013 cm'2) after high intensity coimplantation of As ions (with ion energies of 150 keV, current density of 80 pA/cm2 and implantation times up to 20 s) and following furnace annealing have been investigated. It was obtained that As coimplantation in self-annealing regime produces the conductive layers with poor Si activation efficiency of (<10%). The temperature during self-annealing As coimplantation (for the times above 7 s) was estimated using heat balance equation to be in the range of 700 - 800 0C. RBS measurements showed the full recovery of crystalline structure of the implanted layers both with and without Si activation. The following furnace annealing (750 0C for 20 min under As saturated GaAs powder) has enhanced Si activation efficiency up to 100%. The Hall mobility of the samples (-2100 cm 2N s) is defined mainly by ionized center scattering and changes slightly in 77-300 K range. The observed effect of Si activation efficiency enhancement is ascribed to coimplantation induced As excess in the samples high temperatures during coimplantation. We suppose that presence of a large number of As interstitials which are mobile at high temperatures of high intensity implantation and furnace an nealinn. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.