Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204296
Заглавие документа: | DLTS спектроскопия комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии |
Другое заглавие: | DLTS spectroscopy of the complexes radiation defect-residual impurity in silicon / B.A.Komarov, I.F.Medvedeva, LI.Murin, V.E.Gusakov, P.V.Kuchinski, J.L.Lindstrom |
Авторы: | Комаров, Б. А. Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Гусаков, В. Е. Кучинский, П. В. Lindstrom, J. L. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2001 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 161-163 |
Аннотация: | Методом DLTS исследовано образование комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии. Остановлено, что термические обработки облученных быстрыми электронами Si р^-п переходов приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов Fe+(0-V) и Fe+W на ранней (100-200°С) стадии отжига основных радиационных дефектов. Обнаруженные комплексы электрически активны и проявляют высокую термическую стабильность. |
Аннотация (на другом языке): | Formation of radiation defect-residual impurity complexes has been studied by DLTS method. It was established that HMt treatments of Irradiated by high-velocity electrons Si p^-n junctions lead to the activation of residual Fe atoms and bmallon of Fe+(0-V), Fe+W complexes, responsible for an early stage of annealing of the basic radiation defects. The fletected defect-residual impurity complexes show electrical activity and add new electronic E5 traps into a forbidden gap and display a high thermal stability. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204296 |
ISBN: | 985-445-236-0 |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
161-163.pdf | 692,35 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.