Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204296
Заглавие документа: DLTS спектроскопия комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии
Другое заглавие: DLTS spectroscopy of the complexes radiation defect-residual impurity in silicon / B.A.Komarov, I.F.Medvedeva, LI.Murin, V.E.Gusakov, P.V.Kuchinski, J.L.Lindstrom
Авторы: Комаров, Б. А.
Медведева, И. Ф.
Мурин, Л. И.
Гусаков, В. Е.
Кучинский, П. В.
Lindstrom, J. L.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2001
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 161-163
Аннотация: Методом DLTS исследовано образование комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии. Остановлено, что термические обработки облученных быстрыми электронами Si р^-п переходов приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов Fe+(0-V) и Fe+W на ранней (100-200°С) стадии отжига основных радиационных дефектов. Обнаруженные комплексы электрически активны и проявляют высокую термическую стабильность.
Аннотация (на другом языке): Formation of radiation defect-residual impurity complexes has been studied by DLTS method. It was established that HMt treatments of Irradiated by high-velocity electrons Si p^-n junctions lead to the activation of residual Fe atoms and bmallon of Fe+(0-V), Fe+W complexes, responsible for an early stage of annealing of the basic radiation defects. The fletected defect-residual impurity complexes show electrical activity and add new electronic E5 traps into a forbidden gap and display a high thermal stability.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204296
ISBN: 985-445-236-0
Располагается в коллекциях:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
161-163.pdf692,35 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.