Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204296Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Б. А. | - |
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Мурин, Л. И. | - |
| dc.contributor.author | Гусаков, В. Е. | - |
| dc.contributor.author | Кучинский, П. В. | - |
| dc.contributor.author | Lindstrom, J. L. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T10:34:29Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T10:34:29Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 161-163 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204296 | - |
| dc.description.abstract | Методом DLTS исследовано образование комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии. Остановлено, что термические обработки облученных быстрыми электронами Si р^-п переходов приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов Fe+(0-V) и Fe+W на ранней (100-200°С) стадии отжига основных радиационных дефектов. Обнаруженные комплексы электрически активны и проявляют высокую термическую стабильность. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | DLTS спектроскопия комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии | ru |
| dc.title.alternative | DLTS spectroscopy of the complexes radiation defect-residual impurity in silicon / B.A.Komarov, I.F.Medvedeva, LI.Murin, V.E.Gusakov, P.V.Kuchinski, J.L.Lindstrom | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | Formation of radiation defect-residual impurity complexes has been studied by DLTS method. It was established that HMt treatments of Irradiated by high-velocity electrons Si p^-n junctions lead to the activation of residual Fe atoms and bmallon of Fe+(0-V), Fe+W complexes, responsible for an early stage of annealing of the basic radiation defects. The fletected defect-residual impurity complexes show electrical activity and add new electronic E5 traps into a forbidden gap and display a high thermal stability. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 161-163.pdf | 692,35 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.