Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204293| Заглавие документа: | Выявление радиационных повреждений в облученных высокоэнергетичными ионами кристаллах A3B5 селективным травлением |
| Другое заглавие: | Revealation of damage in ABV crystals irradiated by high-energy ions by means of selective etching / A. N. Akimov, L. A. VIasukova, A. A. Kamarou |
| Авторы: | Акимов, А. Н. Власукова, Л. А. Комаров, А. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 82-85. |
| Аннотация: | Кристаллы GaAs и InP облучались ионами Kr и Xe с Е=210, 247 и 340 МэВ дозами 3x10 12 - 5x10 13 см'2. Для изучения в радиационных повреждений использовалось селективное травление сколов (110) с последующим их исследованием в оптическом микроскопе. Оценены толщины и морфология областей с различным содержанием дефектов и внедренных в ионов. Показано, что при использовании близких режимов имплантации степень разупорядочения в случае InP выше в сравнении с GaAs. |
| Аннотация (на другом языке): | GaAs and InP crystals were irradiated by Kr and Xe ions (with energy E = 210, 247 and 340 MeV; dose varied from 5x10,3cm‘2). To examine radiation damage the authors applied selective etching of (110) cleavage planes of irradiated as well as their following observation by means of optical microscope. Data of ТЕМ for InP crystals irradiated by Xe MeV) ions [1] were used in order to interpret obtained results. It is found that selective etching of cleavage planes of and InP crystals implanted with high-energy ions enables us to estimate sharpness of boundaries as well as to determinei, planarity and morphology of layers containing different defects and implanted ions. Investigation of etched (110) planes of GaAs and InP crystals irradiated by high-energy ions in similar regimes showed that the structure of Mten damage for GaAs is essentially different from the case of InP. Damage level for InP crystals appears to be higher if snared to the one for GaAs. For the case of GaAs we registered two thin layers with sharp boundaries. The depths atesponding to these layers are close to those of projected range and maximum of radiation defects calculated on the basis of ИМ-95 code. For the case of InP there was revealed rather complex character of distribution of damage over depth for Wanied layer. Surfacedepth layer (up to 10+12 microns) contains either tracks or totally amorphous material (depending upon Wantation dose). The deeper layer is only slightly damaged and remains monocrystalline; this layer is separated from hardly fcnaged one by transition layers. Depth of 20+30 microns corresponds to the second damaged layer formed due to nucle are-etgy losses. Herre, W. Weschl E. Wendler, P.l. Gaiduk, F.F. Komarov, S. Klaumunzer and P. Meier// Phys. Rev. B58 (1998) 4382. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204293 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.