Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204292
Заглавие документа: | Фазовые превращения в ионно-аморфизированном кремнии, инициируемые импульсным воздействием излучения эксимерного лазера |
Другое заглавие: | Phase transformations induced in ion-amorphized si by excimer laser pulsed irradiation / G.D.Ivleu, E.I.Gatskevich |
Авторы: | Ивлев, Г. Д. Гацкевич, Е. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2001 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 151-153 |
Аннотация: | Методом оптического зондирования in situ на 632 нм с детектированием отраженного от образца зондирующего луча изучались фазовые превращения, происходящие в ионно-аморфизированном кремнии (Р+, 75 кэВ, 2*10^16 см^2) под действием 10-наносекундных импульсов УФ-излучения ArF эксимерного лазера. Установлено, что эпистаксиальная кристаллизация расплавленного слоя кремния происходит при плотностях энергии облучения W>0,75 Дж/см^2. При значениях 0,2<W<0,6 Дж/см^2 наблюдается реаморфизация на стадии отвердевания. причем начальное и конечное состояния аморфной фазы не адекватны. Аморфизация кремния из расплава сопровождается зарождением удаленных друг от друга кристаллических центров. Их присутствие изменяет кинетику фазовых превращений при повторном воздействии лазерного излучения, приводит к формированию поликристаллической структуры и обуславливает возможность промежуточной кристаллизации кремния в последовательности лазерно-индуцированных фазовых превращений. |
Аннотация (на другом языке): | Time-resolved reflectivity (TRR) measurements at >^=632 nm have been carried out under the conditions of ArF laser irradiation of an amorphous layer (a-Si) produced by P* ions implantation (75 keV, 2*10'^ cm'^). The laser wavelength and pulse duration were 193 nm and 10 ns(FWHM) respectively. The melting threshold of a-Si is determined to be 0,16 J/cm^ The epitaxial crystallization of the laser melted layer takes place at the energy densities W>0.75 J/cm^ At the values 0.2<W<0.6 J/cm^, a reamorphization of Si is observed during the solidification stage. Under these conditions of laser irradiation the solid-liquid phase transitions do not change the final reflectivity of Si respective to the initial value. There are crystal nuclei in reamorphization layers. It follows from the fact that a polycrystalline phase is formed from the melt as a result of two pulse irradiation of the implanted layer. Due to the presence of these nuclei the intermediate crystallization of Si is possible in the sequence of laser-induced phase transformations. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204292 |
ISBN: | 985-445-236-0 |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
151-153.pdf | 722,78 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.