Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204292
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | - |
dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | - |
dc.date.accessioned | 2018-08-27T10:17:24Z | - |
dc.date.available | 2018-08-27T10:17:24Z | - |
dc.date.issued | 2001 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 151-153 | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204292 | - |
dc.description.abstract | Методом оптического зондирования in situ на 632 нм с детектированием отраженного от образца зондирующего луча изучались фазовые превращения, происходящие в ионно-аморфизированном кремнии (Р+, 75 кэВ, 2*10^16 см^2) под действием 10-наносекундных импульсов УФ-излучения ArF эксимерного лазера. Установлено, что эпистаксиальная кристаллизация расплавленного слоя кремния происходит при плотностях энергии облучения W>0,75 Дж/см^2. При значениях 0,2<W<0,6 Дж/см^2 наблюдается реаморфизация на стадии отвердевания. причем начальное и конечное состояния аморфной фазы не адекватны. Аморфизация кремния из расплава сопровождается зарождением удаленных друг от друга кристаллических центров. Их присутствие изменяет кинетику фазовых превращений при повторном воздействии лазерного излучения, приводит к формированию поликристаллической структуры и обуславливает возможность промежуточной кристаллизации кремния в последовательности лазерно-индуцированных фазовых превращений. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Фазовые превращения в ионно-аморфизированном кремнии, инициируемые импульсным воздействием излучения эксимерного лазера | ru |
dc.title.alternative | Phase transformations induced in ion-amorphized si by excimer laser pulsed irradiation / G.D.Ivleu, E.I.Gatskevich | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.description.alternative | Time-resolved reflectivity (TRR) measurements at >^=632 nm have been carried out under the conditions of ArF laser irradiation of an amorphous layer (a-Si) produced by P* ions implantation (75 keV, 2*10'^ cm'^). The laser wavelength and pulse duration were 193 nm and 10 ns(FWHM) respectively. The melting threshold of a-Si is determined to be 0,16 J/cm^ The epitaxial crystallization of the laser melted layer takes place at the energy densities W>0.75 J/cm^ At the values 0.2<W<0.6 J/cm^, a reamorphization of Si is observed during the solidification stage. Under these conditions of laser irradiation the solid-liquid phase transitions do not change the final reflectivity of Si respective to the initial value. There are crystal nuclei in reamorphization layers. It follows from the fact that a polycrystalline phase is formed from the melt as a result of two pulse irradiation of the implanted layer. Due to the presence of these nuclei the intermediate crystallization of Si is possible in the sequence of laser-induced phase transformations. | ru |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
151-153.pdf | 722,78 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.