Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204290
Title: Моделирование процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния и германия при воздействии наносекундного лазерного излучения
Other Titles: Simulation of melting and crystallization processes induced in monocrystalline ge and si by ruby laser nanosecond irradiation / S.P.Zhvavyi
Authors: Жвавый, С. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 142-144
Abstract: В предположении послойного роста новой фазы проведено численное моделирование процессов плавления и кристаллизации Si и Ge при моноимпульсном воздействии излучения рубинового лазера. Для описания фазовых переходов привлекался двухмерный механизм зародышеобразования и роста новой фазы. Показано, что временные зависимости перегрева кристалла, переохлаждения расплава и скорость движения границы раздела фаз носят немонотонный характер и определяются кинетикой фазовых превращений.
Abstract (in another language): Numerical simulation of melting and crystallization processes induced in Ge and Si by ruby laser nanosecond irradiation have been carried out on the assumption of the layer-by layer growrth of new phase. The two-dimension mechanism of the nucleation and the growth of new phase Is used for the description of the phase transitions. It is shown that the time dependence's of the crystal overheating, the melt undercooling and liquid-solid interface velocity are nonmonotone and be determined by the phase transitions kinetics.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204290
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
142-144.pdf723,77 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.