Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204261Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Brinkevich, D. I. | - |
| dc.contributor.author | Petrov, V. V. | - |
| dc.contributor.author | Prosolovich, V. S. | - |
| dc.contributor.author | Yankovski, Yu. N. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T06:39:20Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T06:39:20Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 117-118 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204261 | - |
| dc.description.abstract | II is shown that the use of silicon doped by Ge and Lu as substrates for epitaxial layers allows to improve the stability of p-n-junctions and MOS - structures to the radiation effect. Lu is more effective in this case. Shift current of voltage of the flat zones and the threshold voltage at MOS - structures irradiation produced on Si:Lu were approximately half as much than for the analogous test samples. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | The effect of ionizing radiation on the structures formed on the base of silicon with the addition of rare-earth and isovalent impurities | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.