Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203881| Заглавие документа: | Simulation of plasma assisted doping of silicon |
| Авторы: | Velichko, O. I. Dobrushkin, V. A. Tsurko, V. A. Senko, N. A. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 70-72 |
| Аннотация: | The model of plasma assisted doping of silicon has been developed and calculations of the plasma immersion boron ion implantation combined with the following rapid thermal annealing or with the thermal annealing and additional radiation enhanced diffusion under hydrogen plasma processing have been made. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203881 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.