Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203881Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Velichko, O. I. | - |
| dc.contributor.author | Dobrushkin, V. A. | - |
| dc.contributor.author | Tsurko, V. A. | - |
| dc.contributor.author | Senko, N. A. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-22T08:04:00Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-22T08:04:00Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 70-72 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203881 | - |
| dc.description.abstract | The model of plasma assisted doping of silicon has been developed and calculations of the plasma immersion boron ion implantation combined with the following rapid thermal annealing or with the thermal annealing and additional radiation enhanced diffusion under hydrogen plasma processing have been made. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Simulation of plasma assisted doping of silicon | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.