Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203840| Заглавие документа: | Определение величины распыления или распухания имплантированного слоя с помощью атомно-силового микроскопа |
| Другое заглавие: | Measurements of sputtering and swelling of implanted layer with atomic force microscope / A.A.Bukharaev, N.I.Nurgazizov, V.V.Starkov |
| Авторы: | Нургазизов, Н. И. Бухараев, А. А. Старков, В. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 47-48 |
| Аннотация: | В работе описывается методика определения коэффициента распыления или степени распухания имплантированного слоя с помощью атомно-силового микроскопа. Измерения могут проводиться при дозе облучения свыше 10'® ион/см^. В работе приводятся результаты измерения коэффициента распыления, полученные для комбинаций ион-мишень: Ga*-Si, Аг'-ЗІОг, С'-Зібг. |
| Аннотация (на другом языке): | It was shown that AFM makes possible to with high-accuracy measurement of swelling and sputtering of silicon oxide implanted through a mask at a dose above 10^® ion/cm^. The sputtering coefficients for different ion-target combination (Ga*-SI, Ar'-SiOz, С'-ЗіОг) are presented. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203840 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.