Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203840
Title: Определение величины распыления или распухания имплантированного слоя с помощью атомно-силового микроскопа
Other Titles: Measurements of sputtering and swelling of implanted layer with atomic force microscope / A.A.Bukharaev, N.I.Nurgazizov, V.V.Starkov
Authors: Нургазизов, Н. И.
Бухараев, А. А.
Старков, В. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 47-48
Abstract: В работе описывается методика определения коэффициента распыления или степени распухания имплантированного слоя с помощью атомно-силового микроскопа. Измерения могут проводиться при дозе облучения свыше 10'® ион/см^. В работе приводятся результаты измерения коэффициента распыления, полученные для комбинаций ион-мишень: Ga*-Si, Аг'-ЗІОг, С'-Зібг.
Abstract (in another language): It was shown that AFM makes possible to with high-accuracy measurement of swelling and sputtering of silicon oxide implanted through a mask at a dose above 10^® ion/cm^. The sputtering coefficients for different ion-target combination (Ga*-SI, Ar'-SiOz, С'-ЗіОг) are presented.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/203840
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
47-48.pdf511,22 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.