Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203840
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Нургазизов, Н. И. | - |
dc.contributor.author | Бухараев, А. А. | - |
dc.contributor.author | Старков, В. В. | - |
dc.date.accessioned | 2018-08-22T06:25:04Z | - |
dc.date.available | 2018-08-22T06:25:04Z | - |
dc.date.issued | 2001 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 47-48 | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203840 | - |
dc.description.abstract | В работе описывается методика определения коэффициента распыления или степени распухания имплантированного слоя с помощью атомно-силового микроскопа. Измерения могут проводиться при дозе облучения свыше 10'® ион/см^. В работе приводятся результаты измерения коэффициента распыления, полученные для комбинаций ион-мишень: Ga*-Si, Аг'-ЗІОг, С'-Зібг. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Определение величины распыления или распухания имплантированного слоя с помощью атомно-силового микроскопа | ru |
dc.title.alternative | Measurements of sputtering and swelling of implanted layer with atomic force microscope / A.A.Bukharaev, N.I.Nurgazizov, V.V.Starkov | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.description.alternative | It was shown that AFM makes possible to with high-accuracy measurement of swelling and sputtering of silicon oxide implanted through a mask at a dose above 10^® ion/cm^. The sputtering coefficients for different ion-target combination (Ga*-SI, Ar'-SiOz, С'-ЗіОг) are presented. | ru |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.