Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196313Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Дмитрий Иванович | - |
| dc.contributor.author | Просолович, Владислав Савельевич | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Юрий Николаевич | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-29T11:22:34Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-29T11:22:34Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 2. – С. 53-55. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196313 | - |
| dc.description.abstract | The possibility of the use of Lu and Ge doped silicon in the base MOS-technology were studied. Doping by these impurities decreased the quantity of leakage current and increased the breakdown voltage of p - n-junctions and Si - Si02-polySi structures. It is shown that Ge and Lu doping of the epitaxial layers allows to improve the stability of p - n-junctions and MOS-structures to the radiation effects. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Эпитаксиальные слои кремния, легированные германием и лютецием | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.