Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196240Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Белоус, Анатолий Иванович | - |
| dc.contributor.author | Ефименко, Сергей Афанасьевич | - |
| dc.contributor.author | Понарядов, Владимир Васильевич | - |
| dc.contributor.author | Прибыльский, Александр Владимирович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-28T12:49:43Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-28T12:49:43Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 2. – С. 22-28. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196240 | - |
| dc.description.abstract | The article is dedicated to investigation of key characteristics of bipolar and MOS-transistors, determining their high speed as parts of Bi-CMOS LSIC. Fly-over time spaces through active structure in “source-drain” and “emitter-collector” are compared, slope, current density and geometrical dimensions of n-p-n- and n-MOS-transistors are defined. Demands to boundary frequency of bipolar transistor in Bi-CMOS LSIC are specified. The results of experimental investigation are provided. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Сравнительный анализ быстродействия биполярного и МОП-транзисторов | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.