Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196239Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андреев, Альберт Данилович | - |
| dc.contributor.author | Бельский, Александр Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Валиев, Александр Анатольевич | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-28T12:47:05Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-28T12:47:05Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 2. – С. 19-22. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196239 | - |
| dc.description.abstract | The approximation of the high-dopant MOS FET current-voltage characteristic before saturation in a drain voltage range 0-2qy is offered. This method allows to calculate drain current, drain current saturation voltage in the case when constructive-technological parameters of the device and gate voltage are given. It is shown that account of the drain voltage dependence of effective mobility is not necessary in this approximation. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Аппроксимация начального участка ВАХ высоколегированного МОП-ПТ | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.