Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196237| Заглавие документа: | Моделирование методом частиц переноса электронов в субмикронном МОП-транзисторе c учетом ударной ионизации |
| Авторы: | Борздов, Владимир Михайлович Галенчик, Вадим Освальдович |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 2. – С. 16-19. |
| Аннотация: | The numerical model of the electron transport in submicron MOSFET was developed. The influence of impact ionization on mean energy and drift velocity in the device channel was studied using this model. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196237 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2001, №2 (май) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.