Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196237| Title: | Моделирование методом частиц переноса электронов в субмикронном МОП-транзисторе c учетом ударной ионизации |
| Authors: | Борздов, Владимир Михайлович Галенчик, Вадим Освальдович |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 2. – С. 16-19. |
| Abstract: | The numerical model of the electron transport in submicron MOSFET was developed. The influence of impact ionization on mean energy and drift velocity in the device channel was studied using this model. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196237 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2001, №2 (май) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.