Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Архив журналов БГУ
  3. «Вестник БГУ» : научно-теоретический журнал Белорусского государственного университета
  4. Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика.
  5. 2001, №2 (май)
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/196237
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБорздов, Владимир Михайлович-
dc.contributor.authorГаленчик, Вадим Освальдович-
dc.date.accessioned2018-05-28T12:38:15Z-
dc.date.available2018-05-28T12:38:15Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationВестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 2. – С. 16-19.ru
dc.identifier.issn0321-0367-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/196237-
dc.description.abstractThe numerical model of the electron transport in submicron MOSFET was developed. The influence of impact ionization on mean energy and drift velocity in the device channel was studied using this model.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМоделирование методом частиц переноса электронов в субмикронном МОП-транзисторе c учетом ударной ионизацииru
dc.typearticleru
Appears in Collections:2001, №2 (май)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16-19.pdf2,9 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.