Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196237Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, Владимир Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Галенчик, Вадим Освальдович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-28T12:38:15Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-28T12:38:15Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 2. – С. 16-19. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196237 | - |
| dc.description.abstract | The numerical model of the electron transport in submicron MOSFET was developed. The influence of impact ionization on mean energy and drift velocity in the device channel was studied using this model. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Моделирование методом частиц переноса электронов в субмикронном МОП-транзисторе c учетом ударной ионизации | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.