Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/192066
Заглавие документа: | Электронная структура, оптические и магнитные свойства полупроводниковых соединений A II B IV C V 2 , A I 2 B IV C VI 3 , A IV B VI , A VI B VI 2 : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Кривошеева Анна Владимировна ; Белорусский государственный университет |
Авторы: | Кривошеева, Анна Владимировна |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика 01.04.10 – физика полупроводников |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск |
Аннотация: | Целью работы является установление методом моделирования из первых принципов в рамках теории функционала плотности электронной структуры, оптических и магнитных свойств полупроводниковых соединений A II B IV C V 2 (А = Be, Mg, Zn, Cd; В = Si, Ge, Sn; С = N, P, As), A I 2 B IV C VI 3 (А = Cu; В = Si, Ge, Sn; С = S), A IV B VI (А = Sn, В = S), A VI B VI 2 (А = Mo, W; В = S, Se) и закономерностей их изменения в зависимости от атомарного состава и кристаллической структуры для определения перспектив использования этих материалов в оптоэлектронике, фотовольтаике и спинтронике. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/192066 |
Располагается в коллекциях: | Авторефераты кандидатских диссертаций Авторефераты докторских диcсертаций, защищенных в совете Д 02.01.16 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
avtoreferat_Krivosheeva.pdf | 583,14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.