Электронная структура, оптические и магнитные свойства полупроводниковых соединений A II B IV C V 2 , A I 2 B IV C VI 3 , A IV B VI , A VI B VI 2 : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Кривошеева Анна Владимировна ; Белорусский государственный университет

Abstract

Целью работы является установление методом моделирования из первых принципов в рамках теории функционала плотности электронной структуры, оптических и магнитных свойств полупроводниковых соединений A II B IV C V 2 (А = Be, Mg, Zn, Cd; В = Si, Ge, Sn; С = N, P, As), A I 2 B IV C VI 3 (А = Cu; В = Si, Ge, Sn; С = S), A IV B VI (А = Sn, В = S), A VI B VI 2 (А = Mo, W; В = S, Se) и закономерностей их изменения в зависимости от атомарного состава и кристаллической структуры для определения перспектив использования этих материалов в оптоэлектронике, фотовольтаике и спинтронике.