Стабилизация параметров границы раздела Si-SiO2 c помощью быстрой термической обработки

Abstract

Показано, что проведение быстрой термической обработки исходных кремниевых пластин и пленок двуокиси кремния, выращенных на их поверхности, позволяет стабилизировать зарядовые свойства границы раздела такой системы из-за уменьшения толщины нарушенного слоя в исходных кремниевых пластинах и совершенствования структуры выращенных пленок = It is shown, that performance of the rapid thermal treatment of the initial silicon wafers and films of silicon dioxide, grown on their surface, makes it possible to stabilize the charge properties of the interface of such system owing to reduction of the disrupted layer thickness in the initial silicon wafers and perfecting the structure of the grown films