Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/182381
Заглавие документа: | Тензосопротивление трансмутационно легированных кристаллов кремния |
Другое заглавие: | Tensoresistance of transmutation doped silicon crystals / G.P. Gaidar |
Авторы: | Гайдар, Г. П. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2017 |
Издатель: | Минск: Изд. центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 222-224. |
Аннотация: | Представлены экспериментальные данные по измерению тензосопротивления и тензо-холл-эффекта трансмутационно легированных кристаллов n-Si в исходном состоянии (т.е. после стандартного технологического отжига) и после высокотемпературного отжига (при Тотж. = 1200 С в течение t = 2 ч) при разных скоростях охлаждения от температуры отжига до комнатной (охл. = 1 и 15 С/мин). В результате проведенных экспериментов обнаружено, что при охлаждении трансмутационно легированных кристаллов n-Si со скоростью 15 С/мин вследствие образования глубоких уровней, чувствительных к величине одноосного механического напряжения, возникает эффект отрицательного тензосопротивления = The experimental data on the measurement of tensoresistance and tenso-Hall-effect of the transmutation doped n-Si crystals in the initial state (i.e., after a standard annealing process) and after high-temperature annealing at different cooling rates from the annealing temperature to the room temperature have been presented. The samples in the initial state were characterized by the following parameters: n0 (77 K) NP 5.6 1013 cm-3, (77 K) = 21600 cm2/Vs. Three groups of samples were cut from the ingot after obtaining crystallographic orientation in the direction [001] with an accuracy no worse than 15'. In the initial state the dependences n0 = n0 (Т) and Х /0 = f (X) were measured on one of these groups. Two other groups of samples were subjected to the same high-temperature annealing (Тann = 1200 оС during 2 h), but were cooled from the annealing temperature with the different rates (cl = 1 and 15 оС/min). As a result of the carried out experiments it was found that under cooling of the transmutation-doped n-Si crystals with the rate of 15 оС/min due to the formation of deep levels, which are sensitive to the value of uniaxial mechanical stress, the effect of negative tensoresistance appears |
Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/182381 |
ISBN: | 978-985-553-446-5 |
Располагается в коллекциях: | 2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
222-224.pdf | 683,79 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.