Структура и фотопроводимость сильно легированных слоев Ge:Sb, сформированных на подложках Si и Ge ионным распылением и импульсными обработками

Abstract

В данной работе проведено формирование растянуто-напряженных (~ 0.2%) и сильно легированных (до 1020 см-3) донорной примесью (сурьма) слоев n+-Ge:Sb на подложках p-Ge и p-Si с использованием импульсных воздействий мощными ионными или лазерными пучками. Определена зависимость времени существования расплава от режимов импульсных воздействий. Показано, что импульсная ионная обработка, в отличие от лазерной, приводит к созданию эпитаксиальных слоев n+-Ge:Sb/p-Ge. Изучены электрические свойства сформированных слоев. Получены спектральные зависимости фототока, обладающие максимумом фоточувствительности при 980 и 1500 нм = In this work the formation of tensile-strained (~ 0.2%) and highly doped (up to 1020 cm-3) by donor dopant Ge:Sb layers at p-Ge and p-Si substrates by means of pulsed treatments with powerful ion and laser beams is carried out. The dependence of melt duration on the regimes of pulsed treatments is determined. It is shown that pulsed ion beam treatment, compared to laser irradiation, leads to the formation of epitaxial n+-Ge:Sb-on-p-Ge layers. The electrical properties of the formed layers were studied. The spectral dependencies of photocurrent having maxima at 980 and 1500 nm are obtained