Перестройка дивакансии V2 (-/0) под влиянием ультразвука

Abstract

Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных  - квантами 60Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных  - квантами образцов n - Si уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией = The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated  - rays 60Co associated with negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion described. In  - rays irradiated samples n-Si the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated  - rays 60Co reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater distortion in configuration with less distortion was found