Изучение изменения структуры пленки карбида титана, полученного сораспылением графита и титана, под действием лазерного излучения

Abstract

Пленка карбида титана была получена методом магнетронного распыления. На нагретую подложку осаждались атомы и кластеры углерода и титана. В качестве подложки использовался монокристалл кремния. Рабочим газом служил чистый аргон (99.999%). Температура подложки составила 250, 350 и 450°С. Пленки, полученные при разных температурах, исследовались с помощью рамановской спектроскопии. Образцы изучены при разных интенсивностях лазера. При 100% интенсивности лазера наблюдается изменение структуры материала. Результаты анализа методом рамановской спектроскопии показывают, что с увеличением температуры подложки увеличивается концентрация соединений титана с углеродом, тогда как доля аморфного углерода в системе уменьшается = The titanium carbide film was obtained by magnetron sputtering process. Atoms and clusters of carbon and titanium were deposited on the heated substrate surface. A single crystal of silicon was used as the substrate. The working gas was pure argon (99.999%). The substrate temperatures were 250°C, 350°C and 450°C. Films obtained at different substrate temperatures were studied using Raman spectroscopy. Samples were studied at different powers of the laser irradiation. At 100% power of incident laser radiation, the structure of the material is changed. The Raman spectroscopy results show that as the substrate temperature increases, the concentrations of titanium compounds with carbon are also increasing, while the content of amorphous carbon in the system decreases