Особенности структуры переходного слоя системы Mo/Si, облученной ионами фосфора

Abstract

Рассмотрены вопросы влияния дозы легирования Si(111) ионами P+, влияния постимплантационного отжига легированного Si и отжига системы Mo/Si, а также облучения ионами P+ сформированных омических контактов системы Mo/Si и низкотемпературной термообработки на структуру и фазовый состав переходного слоя = Questions of the implantation fluency of Si(111) by of phosphorus ions influence, the effect of post-implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo–Si system and of irradiation by phosphorus ions of generated ohmic contact of system Mo/Si and an annealing at low temperatures on the structure and phase composition of transitional layer have been considered