Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/178724| Заглавие документа: | Влияние условий синтеза и облучения высокоэнергетическими ионами ксенона на фотолюминесценцию системы «нанокластеры InAs В Si и SiO2» |
| Авторы: | Комаров, Ф. Ф. Мильчанин, О. В. Пархоменко, И. Н. Власукова, Л. А. Нечаев, Н. С. Wendler, E. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание источника: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 249-251. |
| Аннотация: | Приведены результаты исследований структурных и люминесцентных свойств нанокластеров InAs, сформированных методом ионной имплантации в матрицах кремния и диоксида кремния. Обнаружено влияние термообработки и облучения ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3×1014 см-2 на фотолюминесценцию сформированных систем. Установлено, что облучение ионами Xe ослабляет фотолюминесценцию системы «InAs в Si» в ближнем ИК диапазоне. В случае системы «InAs в SiO2», облучение ионами Xe приводит к усилению интенсивности и уширению спектра люминесценции в области 550–750 нм |
| Доп. сведения: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/178724 |
| Располагается в коллекциях: | 2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 249-251.pdf | 734,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.